Unisciti agli oltre 155.000 follower di IMP

www.auto-innovazioni.com
Rohm Semiconductors News

I NUOVI IGBT IBRIDI DI ROHM CON DIODO SIC INTEGRATO

Per perdite di potenza inferiori e un rapporto prezzo prestazione migliorato.

I NUOVI IGBT IBRIDI DI ROHM CON DIODO SIC INTEGRATO

ROHM ha sviluppato la serie RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR), composta da IGBT ibridi con diodo Schottky SiC da 650 V integrato. I dispositivi sono conformi allo standard AEC-Q101 per il settore automotive e sono ideali per applicazioni automotive ed industriali che gestiscono l'alta potenza, come convertitori di potenza per il settore fotovoltaico, OBC (on board chargers) e convertitori DC/DC usati sui veicoli elettrici e ibridi (xEV).


I NUOVI IGBT IBRIDI DI ROHM CON DIODO SIC INTEGRATO

La serie RGWxx65C impiega i diodi Schottky SiC a basse perdite di ROHM come diodo di free wheeling dell'IGBT, che presenta un'energia di recupero pressoché nulla e di conseguenza una perdita di commutazione minima del diodo. Inoltre, dal momento che la corrente di recovery non deve essere gestita dall'IGBT all’accensione, la perdita di turn-on dell'IGBT viene significativamente ridotta. Entrambi gli effetti sommati danno come risultato una perdita inferiore fino del 67% rispetto agli IGBT con diodo convenzionale e fino al 24% rispetto ai MOSFET Super Junction (SJ MOSFET) quando vengono usati nei caricabatteria dei veicoli. Questo effetto fornisce un ottimo rapporto prezzo prestazioni contribuendo al contempo a diminuire il consumo di potenza nelle applicazioni industriali e automotive.

Recentemente gli sforzi globali volti alla riduzione del carico ambientale e al raggiungimento di una società a zero emissioni e decarbonizzata hanno stimolato la diffusione di veicoli elettrici e ibridi (xEV). Al contempo si sta assistendo alla diversificazione dei semiconduttori di potenza usati in diversi circuiti per inverter e convertitori dei veicoli, necessari per configurare sistemi più efficienti, nonché all'innovazione tecnologica sia dei dispositivi di potenza SiC a perdite ultra-basse (ad es. MOSFET SiC, SBD SiC) che dei dispositivi di potenza al silicio convenzionali (ad es. IGBT, MOSFET Super Junction).

Per fornire soluzioni di potenza efficaci per un'ampia gamma di applicazioni, ROHM si sta concentrando non solo sullo sviluppo di prodotti e tecnologia per dispositivi di potenza SiC, dove è leader del settore, ma anche per prodotti al silicio e circuiti integrati per driver.


I NUOVI IGBT IBRIDI DI ROHM CON DIODO SIC INTEGRATO

Disponibilità: marzo 2021 (campioni), dicembre 2021 (produzione in massa)

Esempi applicativi
  • Caricabatterie per il settore automotive (OBC)
  • Convertitori DC/DC per veicoli
  • Inverter per fotovoltaico
  • UPS
  • Linea di prodotti IGBT ibridi [serie RGWxx65C]

I NUOVI IGBT IBRIDI DI ROHM CON DIODO SIC INTEGRATO

Oltre a questi nuovi IGBT ibridi, offriamo prodotti che utilizzano diodi FRD al silicio come il diodo di free wheeling, nonché Igbt senza diodo. Per maggiori informazioni cliccare sull'URL sottostante.

Materiali di supporto per la progettazione

Un'ampia gamma di dati di progettazione è disponibile anche sul sito Internet di ROHM, compresi i modelli di simulazione (SPICE) e le note applicative sulla progettazione dei circuiti di pilotaggio – necessari per l'integrazione e la valutazione a supporto di una progettazione rapida.

www.rohm.com

  Richiedi maggiori informazioni…

LinkedIn
Pinterest

Unisciti agli oltre 155.000 follower di IMP